STGD18N40LZT4是一款N沟道功率MOSFET晶体管，是STMicroelectronics生产的产品。以下是该晶体管的一些主要特点：
1. 高功率能力：STGD18N40LZT4具有较高的功率能力，适用于高功率应用场景，如电源、电机驱动和功率开关等。
2. 低导通电阻：该晶体管具有较低的导通电阻，可以减少功率损耗和热量产生，提高系统效率和可靠性。
3. 高开关速度：STGD18N40LZT4拥有快速的开关速度，能够实现高频率的开关操作，适用于需要快速响应的应用。
4. 低输入电容：该晶体管具有较低的输入电容，可以降低输入电流需求和开关损耗，提高系统的能效。
5. 高温工作能力：STGD18N40LZT4支持高温工作，具有较高的温度耐受能力，适用于高温环境下的应用。
6. 低漏电流：该晶体管具有较低的漏电流，可以减少功耗和电池寿命的消耗。
7. 封装和引脚配置：STGD18N40LZT4采用小型的TO-252封装，具有简单的引脚配置，方便与其他电路板进行集成。
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 420 V
集电极—射极饱和电压: 1.35 V
栅极/发射极最大电压: - 12 V, 16 V
在25 C的连续集电极电流: 10 A
Pd-功率耗散: 150 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGD18N40LZ
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 25 A
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
宽度: 6.2 mm
单位重量: 350 mg
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